清，但通过芯片图案拆分，用两次曝光来完成光刻，降低每次曝光图案的密度的话，就能避免感光的相互干扰、重迭，然后通过纳米级精度的对准，确保两次曝光的图案能完美拼合，达到图案密度加倍的效果不过对设备精度要求很高。”
“哦”辛梦真想通了一些关键，神色沉了沉：“那如果要照这个方式进行四次曝光，光套刻误差就要翻两倍了。”
她家里是做代工的，精密设备了解得不少，自然知道自动化仪器精密度要提升两倍，起码要好几年的时间，甚至十来年。
陈学兵亦轻笑：“当然，这方法良率太低了，如果没有工业精度突破，往下曝光的成本核爆式增长，要完成四次曝光，应该需要更精密的方式吧，这玩意也不是什么超越制程限制的魔法，顶多只是材料技术和精密技术的另一种表现。”
用多重曝光的方式往下追制程，同样需要时代的整体进步，光刻胶多次曝光后胶体龟裂，掩膜版精度够不够细，DUV精度能不能对齐，FinFET工艺能否整合，有没有对应制程的EDA软件来拆分芯片设计图，哪一步都是大坎。
不过有这个路径，总比EUV制造简单多了，如果能持续搞到最新版套刻精度的DUV，便可以跟着先进世代屁股后面玩到7纳米，甚至是5纳米。
他不断查阅技术资料，找人给他解释，对光刻机原理逐渐明了，前世的一些散碎认知更加清晰了。
只是多重曝光这个升级方向还要晶圆厂来完成，能暗中搞到先进DUV的中芯国际最近好像也焦头烂额，03年刚上市就被台积电告了一遭，05年顶不住了，庭外和解赔了1.75亿美元，结果去年又被告了，索赔更高，还要股份。
这次还要求张汝京下课。
张汝京是个好人。
甚至是个伟大的人，脱离了低级趣味的人，为中国半导体奠基的人。
但陈学兵也只能在心里为他唱缅了，他是希望张汝京早点在官司中落败退出来的，台积电不彻底和解，总是惦记着他，中芯国际的多重曝光之路就很难走。
毕竟双重曝光是台积电的专利。
IEDM的录像他看得明明白白，台积电把原理讲得很细，双重曝光技术需要光刻机、光刻胶、EDA工具、量测设备等整个供应链的配合，他们在积极推动双重曝光产业链的发展，完成技术成熟度。
既然敢让大家Know-How，就肯定围绕该技术的核心创新点申请了大量、严密、根本绕不过去的
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